INTERFAZ
PCIEXPRESS 3.0 X4 NVME 1.3
FACTOR DE FORMA
M.2 2280
CAPACIDAD TOTAL
512GB
NAND
FLASH NAND
CACHE DDR EXTERNO
N / A
VELOCIDAD DE LECTURA SECUENCIAL
HASTA 1700 MB / S
VELOCIDAD DE ESCRITURA SECUENCIAL
HASTA 1550 MB / S
IOPS DE LECTURA ALEATORIA
HASTA 270K
IOPS DE ESCRITURA ALEATORIA
HASTA 340K
DIMENSION
80 X 22 X 2.3 MM
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS MTBF
1.5 M HORAS
CONSUMO DE ENERGIA ACTIVO
PROMEDIO R 3.3 W W 2.8W
CONSUMO DE ENERGIA INACTIVO
1.8MW
TEMPERATURA EN FUNCIONAMIENTO
0 grados C HASTA 70 grados C
TEMPERATURA ALMACENAMIENTO
40 grados C HASTA 85 grados C
NOTA
CONFIGURACION DEL SISTEMA DE PRUEBA LA CONFIGURACION PUEDE VARIAR SEGUN EL MODELO ELEGIREMOS LA ULTIMA PLATAFORMA PARA LA VERIFICACION.
EL RENDIMIENTO PUEDE VARIAR SEGUN LA VERSION DE FIRMWARE DEL SSD Y EL HARDWARE Y LA CONFIGURACION DEL SISTEMA. MEDIDAS DE RENDIMIENTO SECUENCIALES BASADAS EN CRYSTALDISKMARK V.5.1.2 E I0METER 1.1.0.
VELOCIDADES BASADAS EN PRUEBAS INTERNAS. EL RENDIMIENTO REAL PUEDE VARIAR.
TBW TERABYTE WRITTEN TERABYTES WRITTEN ES LA CANTIDAD TOTAL DE DATOS QUE SE PUEDEN ESCRIBIR EN UN SSD ANTES DE QUE SEA PROBABLE QUE FALLE.
1GB = MIL MILLONES DE BYTES. LA CAPACIDAD UTILIZABLE REAL PUEDE VARIAR.
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