INTERFAZ
PCI-EXPRESS 3.0 X4 NVME 1.3
FACTOR DE FORMA
M.2 2280
CAPACIDAD TOTAL
256GB
NAND
FLASH NAND
CACHE DDR EXTERNO
N / A
VELOCIDAD DE LECTURA SECUENCIAL
HASTA 1700 MB / S
VELOCIDAD DE ESCRITURA SECUENCIAL
HASTA 1100 MB / S
IOPS DE LECTURA ALEATORIA
HASTA 180K
IOPS DE ESCRITURA ALEATORIA
HASTA 250K
DIMENSION
80 X 22 X 2.3 MM
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS MTBF
1.5 M HORAS
CONSUMO DE ENERGIA ACTIVO
PROMEDIO: R: 2.6W W: 2.4W
CONSUMO DE ENERGIA INACTIVO
1.9MW
TEMPERATURA EN FUNCIONAMIENTO
0 grados C HASTA 70 grados C
TEMPERATURA ALMACENAMIENTO
-40 grados C HASTA 85 grados C
NOTA
CONFIGURACION DEL SISTEMA DE PRUEBA: LA CONFIGURACION PUEDE VARIAR SEGUN EL MODELO ELEGIREMOS LA ULTIMA PLATAFORMA PARA LA VERIFICACION.
EL RENDIMIENTO PUEDE VARIAR SEGUN LA VERSION DE FIRMWARE DEL SSD Y EL HARDWARE Y LA CONFIGURACION DEL SISTEMA. MEDIDAS DE RENDIMIENTO SECUENCIALES BASADAS EN CRYSTALDISKMARK V.5.1.2 E I0METER 1.1.0.
VELOCIDADES BASADAS EN PRUEBAS INTERNAS. EL RENDIMIENTO REAL PUEDE VARIAR.
TBW TERABYTE WRITTEN: TERABYTES WRITTEN ES LA CANTIDAD TOTAL DE DATOS QUE SE PUEDEN ESCRIBIR EN UN SSD ANTES DE QUE SEA PROBABLE QUE FALLE.
1GB = MIL MILLONES DE BYTES. LA CAPACIDAD UTILIZABLE REAL PUEDE VARIAR.
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