CAPACIDAD 512GB
FACTOR DE FORMA M.2 2280
FLASH NAND 3D NAND
CONTROLADOR INNOGRIT IG5236
DIMENSIONES LA X AN X AL 80 X 22 X 43 MM/315 X 087 X 017 PULGADAS CON DISIPADOR DE CALOR
80 X 22 X 33 MM/315 X 087 X 012 PULGADAS SIN DISIPADOR DE CALOR
PESO 10 G/035 OZ CON DISIPADOR DE CALOR
7 G/024 OZ SIN DISIPADOR DE CALOR
INTERFAZ PCIE GEN4X4
LECTURA SECUENCIAL MÁX HASTA 7400 MB / S PC / COMPUTADOR PORTÁTIL
HASTA 6100 MB / S PS5
ESCRITURA SECUENCIAL MÁX HASTA 6800MB/S
4 KB DE IOPS DE LECTURA ALEATORIA MÁX. HASTA 750K
4 KB DE IOPS DE ESCRITURA ALEATORIA MÁX. HASTA 750K
TEMPERATURA DE OPERACIÓN 0 grados C A 70 grados C
TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO 40 grados C A 85 grados C
RESISTENCIA A GOLPES 1500G/05MS
MTBF 2.000.000 HORAS
TERABYTES ESCRITOS TBW CAPACIDAD MÁXIMA 1480TB
GARANTÍA LIMITADA DE 5 AÑOS
NOTA 1. ESTE PRODUCTO ES COMPATIBLE CON LAS PLATAFORMAS INTEL Y AMD MÁS RECIENTES Y DEBE UTILIZARSE CON UNA PLACA BASE QUE ADMITA PCIE 4.0 PARA LOGRAR UN RENDIMIENTO ÓPTIMO. EL RENDIMIENTO ACTUAL PUEDE VARIAR EN FUNCIÓN DEL HARDWARE Y LAS CONFIGURACIONES DE SOFTWARE.
2. ESTE PRODUCTO ES COMPATIBLE CON LA VERSIÓN ANTERIOR PCIE 3.0. SI SE UTILIZA UNA PLACA BASE PCIE DE TERCERA GENERACIÓN ESTE PRODUCTO PODRÁ ALCANZAR VELOCIDADES DE LECTURA Y ESCRITURA SECUENCIALES DE 3400/3000 MB POR SEGUNDO.
3. CONFIGURACIÓN DEL SISTEMA DE PRUEBA PLACA BASE MOTHERBOARD ASROCK X570 TAICHI CPU AMD RYZEN 7 5800X CRYSTALDISKMARK 7.0.0
4. LA UNIDAD DE ESTADO SÓLIDO SE BASA EN EL PERÍODO DE GARANTÍA O TBW.
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